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　　引言

　　当评估示波器时，带宽是很重要的，对于高速应用而言，高带宽是必需的。然而，示波器的真正目的是要尽可能准确地显示感兴趣的信号，而且背后更为复杂，涉及仪器的基本设计、探头架构和连接配件、以及带宽之外的参数(包括上升时间、采样率和抖动本底噪声)。当选择示波器时，工程师应评估的关键参数概述如表1所示。

　　更佳信号完整性

　　高速信号很容易产生信号完整性问题，因为它们涉及快沿和极窄的单位间隔或位次(bit times)。随着通信链路数据速率的增加，用户界面将缩小，信号上升时间将减少。

　　使问题复杂化的事实是，当被传输信号进入接收机时，可能产生多个信号完整性问题。这些信号完整性问题可能包括当此信号流经电路板或从硅芯片进入封装引脚再进入电路板时产生的信号衰减。通道内的信号衰减是一个非常严重的问题，必须加以解决。PCB材料(如：FR–4)内的信号损失量随线路长度的增加及数据速率的提高而增加。因信号幅度的缩小，噪音和反射正成为一个更大的影响因素。用户需要在接收机中采用去嵌入策略，以打开闭合的眼图。

　　随着第三代串行数据标准的出现，8-10Gb/s正逐渐成为行业标准。在光通信市场中，因以太网(Ethernet)发展到4 × 25G(100GbE)，设计人员需要能够使用高达32Gb/s的比特率对信号进行测试。同时，高速FPGA和宽带射频也推动了极限值的扩大。泰克公司的DPO/DSA73304D为这些高端应用程序提供业界最精准的测量性能。

　　技术平台与突破

　　泰克公司为了提供业界领先的DPO/DSA73304D示波器性能，采用了IBM 8HP锗化硅技术。这是一种130纳米锗化硅双极互补金属氧化物半导体(BiCMOS)工艺，利用200GHz的FT转换速度提供了2倍于上代产品的性能。

　　锗化硅(SiGe)技术利用可靠性高且成熟的制造工艺，提供能与特殊材料(如磷化铟(InP)和砷化镓(GaAs))性能媲美的性能级别。与其它方案不同的是，锗硅BiCMOS工艺提供了在一块芯片上同时制备高速双极性晶体管和标准CMOS的途径，从而使一系列同时具备高集成度和极致性能的电路成为可能。